型号:NOSC107M004R0150 | 类别:氧化铌 | 制造商:AVX Corporation |
封装:2312(6032 公制) | 描述:CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312 |
详细参数
类别 | 氧化铌 |
---|---|
描述 | CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312 |
系列 | OxiCap® NOS |
制造商 | AVX Corporation |
电容 | 100µF |
电压_额定 | 4V |
容差 | ±20% |
ESR111等效串联电阻222 | 150 毫欧 |
电流_泄漏电流 | 8µA |
耗散因数 | 6% |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 2312(6032 公制) |
制造商尺寸代码 | C |
高度_座高111最大222 | 0.110"(2.80mm) |
特点 | 低 ESR |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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轴向
RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
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90-VFBGA
IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- NOSA156M004R1500
氧化铌
AVX Corporation
1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
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固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
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氧化铌
AVX Corporation
1206(3216 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- NLCV32T-R47M-PFR
固定式
TDK Corporation
1210(3225 公制)
INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- NLAST4051DR2
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氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 150UF 2.5V 2312
- NLFC201614T-2R2M-PF
固定式
TDK Corporation
0806(2016 公制)
INDUCTOR SHIELD 2.2UH 20% 0806
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接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
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16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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Yageo
轴向
RES 549KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- NE01-CCPC1-ELXX
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
24-DIP 模块(600 mil,8 引线)
NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- HM2P88PK8111GFLF
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- NOSC157M004R0090
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 150UF 4V 2312
- NLFC453232T-100K-PF
固定式
TDK Corporation
1812(4532 公制)
INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 1812
- NLAST4051DTR2G
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- MT48V8M32LFB5-10
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IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- MFR-25FRF-549R
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 549 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R